面對多種類型的光纖設計，光纖的熔接成為了一個重要的課題和挑戰。在實驗室中開發具有較大靈活性的熔接設備，相對容易滿足不同光纖組合最佳熔接效果。在生產線上，要想實現跨機器和長時一致性則要困難得多，同時兼顧實驗室的靈活性和生產線的一致性是一個更大的挑戰。
  不同的玻璃直徑和結構需要不同的加熱面積和加熱功率?，F在的新型熔接機采用“可變電弧功率放電技術”，其電極間隔距離可變，電極可擺動震蕩放電，新型分立V型槽壓持系統，單個電機    和放電控制的可編程特殊模式，使得熔接機能靈活熔接各種類型光纖。為了滿足實驗室靈活性和生產線一致性的要求，開發了一種電弧功率自動校準的技術，此方法能自動選擇正確的放電功率，保證熔接質量，優化后的熔接參數可應用到生產線上的多臺熔接機，實現長時一致性熔接。    

近十年來，為了克服熔接結果的不一致性，熔接機廠商研究了不同的放電校準方法。這種不一致有三個主要原因：首先，電子元器件和機械部件的公差可能會造成不同機器不一致；其次，電極老化和氧化硅沉積，可能會導致跨機器和長時間使用不一致；最后，環境（如壓力、溫度、濕度等）的變化會導致長時間使用不一致。為了改善和解決這種不一致性，現有的放電功率校準方法有兩類：傳統熔回法和偏移熔接法。

 

關鍵字：熔接，放電校準，大直徑光纖，光纖激光器，特種光纖，可變電弧放電

傳統熔回法

  傳統的熔回法是將兩根光纖端部涂覆層剝除切割，間隔一段距離對齊，然后電弧放電加熱光纖端面（125um光纖如圖1所示），沿光纖軸心測量熔回距離，熔回距離過大降低電弧功率，過小則增加電弧功率。通常加熱時間約為8 ~ 20秒，根據光纖直徑的不同，建議的熔回值為100 ~ 250um，重復此過程，直到達到合適的放電功率。熔回法需要大量的精力準備光纖，尤其是LDF光纖，而且直徑超過250um的大直徑LDF光纖熔化會導致大量二氧化硅顆粒在電極上沉積，使電極的狀態顯著變化，導致放電校準不準確。

圖1▲從左至右：電弧放電前、電弧放電、電弧放電后。傳統熔回法放電功率校準，通過D2減去D1，測量光纖軸心回熔值，LDF光纖熔化會導致大量二氧化硅顆粒在電極上沉積，造成放電校準不準確。

 

偏移熔接法

  在偏移熔接法中，光纖軸向偏移后熔接（如圖2所示），測量由表面張力引起的偏移量變化，偏移變化過大需要減小電弧功率，偏置變化過小需要增大電弧功率。與傳統的熔回法類似，這種方法通常需要多次光纖熔接，才能找到合適的放電功率，所以此方法適用于大多數玻璃直徑為125um的通信光纖。偏移熔接法不適用于大部分不同直徑類型光纖，因為熔接前需要為每根光纖建立合適的電弧功率，因此該方法僅適用于直徑一致的光纖，例如125um玻璃直徑的通信光纖。

圖2▲從左至右：電弧放電前、電弧放電、電弧放電后。偏移熔接法放電功率校準，光纖1和光纖2是相同的光纖類型，通過測量光纖軸上d1-d2偏移變化量，該方法僅適用于直徑為125um的通信光纖。

   一種新型的可變功率熔回法，與上面所述的傳統熔回方法和偏移熔接方法都有一些不同，在預熔過程中，通過檢測加熱光纖發光部分的長度，利用光纖熱像圖計算熔回距離，對于通信光纖，熔回法可以與偏移熔接法結合使用。

   本文介紹了一種適用于不同直徑類型光纖的放電校準方法，采用可變電弧功率通過多段短電弧加熱光纖，然后在光纖端面棱角而不是在光纖軸心上測量熔回距離，端面棱角熔化速度與光纖溫度成正比，通過改變多個電弧的電弧功率，可以使被測光纖達到合適熔化速度和所需電弧功率。該方法成功地在采用可變電弧功率放電技術FSM-100系列熔接機中對直徑為80~660um的光纖進行了測試驗證。

 

可變功率熔回法

 

1.可變功率熔回法過程

   平整切割的光纖端面，在0.3秒~1秒范圍內短電弧放電加熱時，如果電弧功率太弱，光纖端面不會變化，如果使用相同時間的電弧放電，重復加熱同一根光纖端面，隨著放電功率逐漸增加，當功率達到一定水平時，光纖端面棱角開始變圓，如圖3所示。

   可變功率熔回法一些關鍵技術，首先電弧加熱時間很短，并且會隨測量的光纖玻璃直徑而變化，對于125um直徑的光纖，放電時間僅為0.3秒，而不是傳統熔接中幾秒。其次，放電功率從較低的功率開始，并以足夠小的幅度增加，以防止光纖端面變形過快。最后，棱角熔回可以用多種方法來測量，例如可以測量棱角變形的起點，如圖3所示，也可以測量光纖棱角半徑的變化或棱角面積的變化作為熔回量的指標，本文采用如圖3步驟4所示的定義作為熔回值。

   1.測量電弧中心 2.測量光纖端面棱角間隔 3.低功率電弧加熱結束

  4.測量光纖棱角回熔距離（Gap2-Gap1）  5.增加放電功率并重復步驟4和5   6.根據棱角回熔斜率計算所需放電功率

圖3▲放電功率校準中使用的可變功率熔回法過程。軸向回熔非常有限，在許多情況下無法測量。電極條件不受放電校準的影響。

2.放電功率校準結果

   如圖4所示，測量了不同電弧功率和電弧大小條件下，圖3步驟4中定義的棱角熔回值，圖4中的每條曲線代表一次熔回實驗，熔回實驗由20~30次0.3秒的放電組成，放電功率逐漸變化。放電功率從0bit(~10.5mA)增加到100bit(~14.5mA)，功率每增加一次加25bit，每次功率增加之前，以恒定功率進行5次重復放電確定熔回速度。在電極間隔1mm到3mm的電弧大小設置下，每間隔1mm，分別進行了5次實驗驗證一致性。在圖4所示，所有實驗都使用SMF28光纖來驗證熔回速度和研究方法的穩定性。

圖4▲不同放電功率和不同電弧大小的熔回實驗，放電功率從0bit(~10.5mA)增加到100bit(~14.5mA)，每增加一次加25bit，從1mm到3mm電極間隔，每間隔1mm為一組，每條曲線表示一次熔回實驗，包括20到30次0.3秒短電弧放電。為驗證一致性，每個電弧大小設置下進行了5次實驗。紅色曲線表示電弧功率，曲線上的每一個點代表一次短電弧放電。

  從圖4中我們可以清楚地看到，當放電功率恒定時，每條熔回曲線是線性增長的，熔回速度是恒定的。隨著放電功率增加，熔回曲線的斜率越陡，表明熔回速度越快，由此可以計算出恒定放電功率下各個電極間隔下回熔速度，如圖紅色階躍曲線所示，計算出的回熔速度如圖5 (a)所示?；厝鬯俣冗€與光纖端面的溫度有關，由于熔回值是用數字圖像以像素為單位測量的，因此我們可以以像素為測量單位，從而測量圖5中Y軸所示的熔回速度（與光纖溫度有關）。此外，圖5 (a)中所有的熔回速度曲線都可以近似為拋物曲線，因為施加在光纖端面實際熱量與電弧電流的平方成正比，電弧電流在圖5中以X軸表示。從圖5還可以看出，電極間隔越大，熔回速度越快，光纖端面的溫度也越高，這意味著在不同電弧大小設置下，光纖端面想要獲得相同的溫度，實際會應用到不同的放電功率。

   從圖5中，用數學方法設定一個期望的目標曲線（紅色），這個目標曲線可以是一條曲線，也可以是一條直線，我們可以利用這一目標曲線來調節電弧的標稱功率（不是實際功率）和熔回速度。相同的目標曲線可用于所有電弧大小設置，然后可以引入一組校正因子，在相同的標稱電弧功率設置下產生相同的回熔速度。圖5 (b)顯示了與圖5 (a)相同的熔回速度，x軸顯示的是標稱電弧功率，操作人員使用標稱電弧功率來設定他們想要的功率，放電電弧標定的目的是將實際電弧功率投影到標稱電弧功率上，也就是說，我們可以用電弧校準來找到一組校正因子，然后利用這組校正因子建立一個標稱電弧功率的計算公式。在新的計算公式內，無論光纖玻璃直徑、電極條件、電弧大小設置或環境條件如何變化，相同的放電功率設置下光纖端面溫度都相同（相同的熔回速度），修正系數的計算很簡單，可將目標曲線與實測熔回速度曲線的差值作為一組修正因子。

        （a）熔回速度vs.實際電弧功率        （b）熔回速度vs.標稱電弧功率

圖5▲根據圖4所示的實驗計算出的熔化速度，通過電弧校準過程從實際電弧功率投影到標稱電弧功率。放電校準后，無論電弧區域設置如何，相同的功率設置將實現相同的光纖溫度（熔回速度）。Y軸表示每個電弧的放電像素比例。

3.校準結果

（a1）125um放電校準后光纖端面 （a2）1mm電極間距熔接

（a3）3mm電極間距熔接